经典的深部脑电刺激(deep brain stimulation ，DBS)常在术中唤醒状态下行电极植入。对于特发性震颤患者，靶点通常设定在丘脑腹内侧核(ventral intermediate nucleus，VIM) 。近期，越来越多的功能神经外科医生开始尝试患者全麻后非清醒状态下行DBS植入术，通过术中MRI或CT调整电极植入部位，称为非清醒状态下的“睡眠 DBS植入术”(“asleep” DBS);但在定位VIM时，无论1.5T还是3.0T的MRI均很难清楚地显示VIM。美国凤凰城圣 • 约瑟夫医院和医疗中心的Tsinsue Chen等采用间接VIM定位技术，实施睡眠DBS植入术治疗特发性震颤，并与传统的唤醒DBS作疗效比较分析，结果发表在2015年11月的《J Neuro surg》在线上。

该医学中心自2012年3月1日至2014年6月30日，共有40例特发性震颤患者采用经典唤醒DBS手术治疗，17例选择睡眠DBS手术。在术前3D- MRI影像上标注丘脑VIM核的位置：X轴上，位于侧脑室外侧壁外10.5mm，但不超过中线旁14mm;Y轴上，位于前、后联合(AC-PC)连线上，中点向后的1/4处;Z轴上，位于AC-PC的平面上。实施睡眠DBS手术时，患者全麻后用头架或头托固定头部，术中CT或MRI影像学扫描与术前扫描结果均在导航系统(Medtronic - Software)中进行注册;DBS电极植入后，再次行CT扫描，如果偏差大于2mm，需调整位置后再次行CT扫描，直至电极与VIM核靶标偏差小于 2mm。实施唤醒DBS手术时，则按照常规植入电极后对患者进行功能测验，根据震颤症状的缓解和副反应的发生情况调整电极位置。

作者采用Bain和Findley震颤每日生活量表对患者术前和术后的功能情况进行评估，结果发现，在睡眠DBS组，术前生活量表评分为66.0 ±13.3，术后则降为33.9±13.1;而在唤醒DBS组，术前生活量表评分为59.3±13.1，术后评分32.3±7.0;两组之间无统计学差异(p=0.35 )(表1)。DBS电极尖端至VIM靶标的距离称为几何学误差，DBS电极尖端至目标穿刺轨道的垂直距离称为径向误差;唤醒DBS组与睡眠DBS组的几何学误差为1.8±0.8比1.2±0.4，p= 0.01;径向误差为1.3±0.8比1.9±0.5，p=0.06 (表2)。两组患者术后均未出现严重的并发症。

表1. 术前和术后Bain和Findley震颤每日生活量表评分对比。

表2. 电极和目标靶点之间的距离和误差计算。

作者认为，虽然无法在术中实时评估患者震颤的改善情况，但睡眠DBS术后患者能获得与唤醒DBS相似的效果，因此睡眠DBS治疗特发性震颤可以尝试和推广。目前作者已开展前瞻性研究来验证上述结果。